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红外光晶圆键合检测装置
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硅对红外光是透明的。我们的红外光晶圆键合检测设备(WBI)从背面照亮硅基板,并捕获渗透到基板中的光。因此,可以检查从外部看不到的两个硅基板之间的现象。

检查装置配备有红外光源和准直器光学器件,该准直器光学器件用具有均匀强度的光束照射晶片。红外感应摄像头通过USB接口在您的计算机上显示被检查基板的图像。相机的视野和放大倍数可以手动调整。

我们为100毫米、150毫米和200毫米晶圆制造红外检测设备。较小的晶片可以通过适配器环进行可视化。200毫米版本配备了电动晶片架,可以在更高的放大倍数下检查整个晶片。
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硅对红外光是透明的。我们的红外光晶圆键合检测设备(WBI)从背面照亮硅基板,并捕获渗透到基板中的光。因此,可以检查从外部看不到的两个硅基板之间的现象。

检查装置配备有红外光源和准直器光学器件,该准直器光学器件用具有均匀强度的光束照射晶片。红外感应摄像头通过USB接口在您的计算机上显示被检查基板的图像。相机的视野和放大倍数可以手动调整。

我们为100毫米、150毫米和200毫米晶圆制造红外检测设备。较小的晶片可以通过适配器环进行可视化。200毫米版本配备了电动晶片架,可以在更高的放大倍数下检查整个晶片。

为了实现晶圆的可视化,需要一台带有USB端口和Windows 2000或更高版本的个人电脑。

技术参数:

WBI100:更大100mm/4“,更小可视特征尺寸(=1像素):100μm,视场(直径):100mm

WBI150:更大150mm/6“,更小可视特征尺寸(=1像素):150μm,视场(直径):150mm

WBI200:高达200mm/8“,更小可视特征尺寸(=1像素):200μm,视场(直径):200mm

相机:单色140万像素近红外相机,带USB 2.0输出

红外光源波长:1μm

电源:230伏交流电,50赫兹

功耗:125 VA

尺寸(宽x深x高):380 x 460 x 1810立方毫米

重量:40kg

占地面积:380 x 460平方毫米

安装要求:带USB 2.0端口的PC或笔记本电脑,微软操作系统(Windows 2000或更高版本)

图像可视化:在PC上查看相机图像,提供帧抓取和可视化软件

随意的

变焦光学:晶圆尺寸和ø20mm之间的视场

图像分析软件可应要求提供

检查结果示例

红外图像示例:

第一张图片显示了熔融键合后的两个硅片(图片由CSEM SA提供)。总厚度为1.0mm。两个晶片之间的未粘合区域由干涉图案显示。

第二张图片显示了预结构化晶片的结合。规则图案由蚀刻腔组成。边界处的干涉图案也表明该区域的粘合不良。

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检查装置配备有红外光源和准直器光学器件,该准直器光学器件用具有均匀强度的光束照射晶片。红外感应摄像头通过USB接口在您的计算机上显示被检查基板的图像。相机的视野和放大倍数可以手动调整。

我们为100毫米、150毫米和200毫米晶圆制造红外检测设备。较小的晶片可以通过适配器环进行可视化。200毫米版本配备了电动晶片架,可以在更高的放大倍数下检查整个晶片。
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硅对红外光是透明的。我们的红外光晶圆键合检测设备(WBI)从背面照亮硅基板,并捕获渗透到基板中的光。因此,可以检查从外部看不到的两个硅基板之间的现象。

检查装置配备有红外光源和准直器光学器件,该准直器光学器件用具有均匀强度的光束照射晶片。红外感应摄像头通过USB接口在您的计算机上显示被检查基板的图像。相机的视野和放大倍数可以手动调整。

我们为100毫米、150毫米和200毫米晶圆制造红外检测设备。较小的晶片可以通过适配器环进行可视化。200毫米版本配备了电动晶片架,可以在更高的放大倍数下检查整个晶片。

为了实现晶圆的可视化,需要一台带有USB端口和Windows 2000或更高版本的个人电脑。

技术参数:

WBI100:更大100mm/4“,更小可视特征尺寸(=1像素):100μm,视场(直径):100mm

WBI150:更大150mm/6“,更小可视特征尺寸(=1像素):150μm,视场(直径):150mm

WBI200:高达200mm/8“,更小可视特征尺寸(=1像素):200μm,视场(直径):200mm

相机:单色140万像素近红外相机,带USB 2.0输出

红外光源波长:1μm

电源:230伏交流电,50赫兹

功耗:125 VA

尺寸(宽x深x高):380 x 460 x 1810立方毫米

重量:40kg

占地面积:380 x 460平方毫米

安装要求:带USB 2.0端口的PC或笔记本电脑,微软操作系统(Windows 2000或更高版本)

图像可视化:在PC上查看相机图像,提供帧抓取和可视化软件

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变焦光学:晶圆尺寸和ø20mm之间的视场

图像分析软件可应要求提供

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红外图像示例:

第一张图片显示了熔融键合后的两个硅片(图片由CSEM SA提供)。总厚度为1.0mm。两个晶片之间的未粘合区域由干涉图案显示。

第二张图片显示了预结构化晶片的结合。规则图案由蚀刻腔组成。边界处的干涉图案也表明该区域的粘合不良。

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