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等离子体原子/离子源
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我司提供的等离子体源采用感应耦合等离子体(ICP)技术,通过射频能量将气体分子高效离化,产生适用于精密工艺的“软”等离子体。电子束蒸发源采用高质量、完全与高真空兼容的材料制造,可耐受 250℃ 高温烘烤,确保在严苛真空环境下的稳定运行与高纯度沉积。
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我司提供等离子体源是通过将气体分离来产生感应耦合等离子体,包括氮气,氧气和氢气等分子气体。使用1个射频线圈(频率13.56MHz),能量将转化为等离子体,这会产生具有较低离子能量的”软”等离子体。电子束蒸发源是由高质量,完全与高真空兼容材料构成,并且可以烘烤至250℃。


应用领域典型工艺适用气体
氧化物沉积Al₂O₃, SiO₂, TiO₂ 等O₂, O₂/Ar 混合气
氮化物沉积Si₃N₄, TiN, AlN 等N₂, N₂/Ar 混合气
掺杂工艺半导体掺杂、表面改性H₂, B₂H₆, PH₃ 等
表面处理清洗、活化、刻蚀O₂, H₂, Ar 等

配置参数:

  • 多种型号不同功率RF等粒离子体源可选;

  • 在等离子体源终端位置可添加离子束加热器;

  • 自动匹配网络;

  • 等粒子体监测;

  • 手动/自动 挡板;

  • 放电管;

  • 适用气体,如O2, N2, H2, CH4等;

  • 占用空间小;

  • 冷却水流量低;

  • 气体流速可控。

特点与优势:

1. 等离子体源选项

多种功率型号:不同功率的RF等离子体源可选,满足从研发到生产的各类需求

离子束加热器:可在等离子体源终端位置加装,提升基片温度控制能力

2. 控制系统

自动匹配网络:实现射频功率的高效耦合,确保等离子体稳定运行

等离子体监测:实时监控等离子体状态,确保工艺重复性

挡板控制:手动或自动挡板可选,精确控制工艺时序

3. 硬件配置

放电管:耐腐蚀、高透光率设计,便于等离子体观察与诊断

紧凑设计:占用空间小,易于集成到现有真空系统

高效冷却:冷却水流量要求低,降低系统运行成本

气体控制:高精度质量流量控制器,实现气体流速的精确调控

4. 工艺优势

低损伤处理:软等离子体特性,适合敏感器件和材料

高活性粒子浓度:提高反应效率,降低工艺温度

均匀性好:大面积均匀等离子体,适合批量生产

操作简便:全自动或手动控制模式可选

我司的等离子体源与电子束蒸发源组合为各类薄膜沉积与表面处理应用提供了灵活、高效且可靠的解决方案,特别适用于对薄膜质量和工艺控制有严苛要求的应用。






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我司提供的等离子体源采用感应耦合等离子体(ICP)技术,通过射频能量将气体分子高效离化,产生适用于精密工艺的“软”等离子体。电子束蒸发源采用高质量、完全与高真空兼容的材料制造,可耐受 250℃ 高温烘烤,确保在严苛真空环境下的稳定运行与高纯度沉积。
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应用领域典型工艺适用气体
氧化物沉积Al₂O₃, SiO₂, TiO₂ 等O₂, O₂/Ar 混合气
氮化物沉积Si₃N₄, TiN, AlN 等N₂, N₂/Ar 混合气
掺杂工艺半导体掺杂、表面改性H₂, B₂H₆, PH₃ 等
表面处理清洗、活化、刻蚀O₂, H₂, Ar 等

配置参数:

  • 多种型号不同功率RF等粒离子体源可选;

  • 在等离子体源终端位置可添加离子束加热器;

  • 自动匹配网络;

  • 等粒子体监测;

  • 手动/自动 挡板;

  • 放电管;

  • 适用气体,如O2, N2, H2, CH4等;

  • 占用空间小;

  • 冷却水流量低;

  • 气体流速可控。

特点与优势:

1. 等离子体源选项

多种功率型号:不同功率的RF等离子体源可选,满足从研发到生产的各类需求

离子束加热器:可在等离子体源终端位置加装,提升基片温度控制能力

2. 控制系统

自动匹配网络:实现射频功率的高效耦合,确保等离子体稳定运行

等离子体监测:实时监控等离子体状态,确保工艺重复性

挡板控制:手动或自动挡板可选,精确控制工艺时序

3. 硬件配置

放电管:耐腐蚀、高透光率设计,便于等离子体观察与诊断

紧凑设计:占用空间小,易于集成到现有真空系统

高效冷却:冷却水流量要求低,降低系统运行成本

气体控制:高精度质量流量控制器,实现气体流速的精确调控

4. 工艺优势

低损伤处理:软等离子体特性,适合敏感器件和材料

高活性粒子浓度:提高反应效率,降低工艺温度

均匀性好:大面积均匀等离子体,适合批量生产

操作简便:全自动或手动控制模式可选

我司的等离子体源与电子束蒸发源组合为各类薄膜沉积与表面处理应用提供了灵活、高效且可靠的解决方案,特别适用于对薄膜质量和工艺控制有严苛要求的应用。






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