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浏览器自带分享功能也很好用哦~PVD Products 公司提供卷对卷涂层导体 IBAD 沉积系统，用于金属带上生长 MgO 或其他类型的缓冲层。利用我们现有的内部技术，我们可以提供以下两种类型的IBAD系统用于MgO的沉积。 PVD
Products公司已部署多套卷对卷离子束辅助沉积系统。这些系统已被用于在宽度为4至12毫米的哈斯特洛伊合金或不锈钢带上沉积高度取向的氧化镁（MgO）薄膜。利用配备6 x 22厘米栅格的Veeco
线性离子源，可以以100米/小时的速度沉积高质量材料。若使用6 x 66厘米栅格，则速度可提高3倍。为实现高吞吐量，采用了多通道卷筒处理技术，同时控制带速和张力。
经过现场验证的溅射离子束辅助沉积（IBAD）工具，用于制备具有特定纹理的氧化镁（MgO），以便后续沉积稀土锰氧化物（LMO）和钇钡铜氧（YBCO）。该工具采用稳健的射频溅射技术，并配备
在线沉积后反射高能电子衍射（RHEED）分析工具。
离子束辅助沉积（IBAD）对于高温超导（HTS）材料和缓冲层的沉积至关重要。PVDleyu·乐鱼(中国)体育官方网站提供完整的IBAD解决方案，结合蒸发或溅射源与低能离子束轰击，实现双轴纹理的显现。
我们的IBAD-MgO技术比3° FWHM更优，具备可调谐离子束能量（100-1500 eV）和入射角（40-55°）以实现优异的纹理演化。
该工艺使得HTS沉积在低成本的柔性金属基板上，消除了昂贵的单晶或RABiTS基板，同时保持了高性能。
技术优势：
异的织构控制：IBAD-MgO技术可实现优于3° FWHM的薄膜取向度。系统配备可调谐离子源（能量100-1500 eV，入射角40-55°），可精确优化工艺参数以获得优异的双轴织构演化。
稳健的溅射技术：采用经过验证的射频（RF）溅射技术沉积MgO薄膜，工艺稳定可靠。
在线质量监控：系统集成了在线沉积后反射高能电子衍射（RHEED）分析工具，可在沉积过程中实时监测MgO薄膜的表面结构和织构形成，为工艺控制和重复性提供保障。
低成本金属基带：专为在柔性哈氏合金等金属基带上连续沉积设计，无需使用昂贵的单晶基板，明显降低超导带材的制造成本。
| 参数 | 规格 |
|---|---|
| 仪器种类 | 磁控溅射镀膜机（IBAD） |
| 基片尺寸 | 12 mm 宽，可长达 1000 米 |
| 靶材 | 氧化镁（MgO）靶材，尺寸：850 mm（长）x 300 mm（宽）x 6.3 mm（厚） |
| 离子源 | Veeco 22 x 6 cm 线性RF离子源（2台），束电压50-1500 eV，束电流350 mA |
| 在线分析 | 在线沉积后反射高能电子衍射（RHEED） |
| 极限真空 | 5 x 10⁻⁷ Torr |
| 成膜均匀性 | ≤ 5% |
| 基片温度 | 水冷（常温） |
| 系统组成 | 多腔室卷对卷系统（放线/沉积/RHEED/收线室）、支撑架、集成电子机柜 |
系统布局
•支撑架上有多个真空室。包括放线室、沉积室、RHEED室和收线室
•腔室组件将安装在带有脚轮和调平垫的大型支撑架上
•电子机架将内置在机架中
•两个卷轴室
•沉积室
•RHEED分析室将放置在沉积室之后和卷取卷轴之前
卷筒提升机构：
•四套卷轴可容纳12毫米宽的胶带，该系统可容纳客户提供的哈氏合金胶带
•这些卷筒的内径为90毫米，外径为432毫米。
•该系统将包括一个机械升降机，该升降机由一个改良的手动绞车起重车组成。
•其设计用于固定给定直径的胶带卷轴，并允许用户将整卷胶带插入放线卷轴室的主轴上。
•它还被设计用于从卷取室中移除卷轴。
•这使得卷轴从工作台转移到系统变得很容易，因为不需要重型头顶提升。
主沉积室和框架组件：
•IBAD沉积室将通过10“CF法兰直接与放线室相匹配。
•两个腔室之间没有隔离阀。
•该室将由304 SS制成，包括一个带氟橡胶O形密封圈的大型铰链门。
•该室宽约1.39 m，深约1.1 m，高约0.857 mm。
•该室将包括多个端口，以支持两个22 x 6 cm的线性RF离子源、一个水冷靶台和一个水冷衬底台。
•提供了各种CF法兰端口，用于查看、真空泵送、真空计等。
•将提供几个备用端口。
•所有CF法兰式端口均配有公制镀银螺纹螺栓。
•可拆卸的铝制检修板安装在腔室的后壁上，以便在需要时为离子源提供方便的服务。该板通过一个氟橡胶O形圈和几个螺栓进行密封。
•腔室将通过粉末涂层CRS支撑框架进行支撑，该框架配有脚轮和调平垫。
•框架将包括电子支架，用于支撑包括配电箱在内的所有系统电子设备。
Veeco 22 x 6 cm RF离子源，用于离子束溅射：
•Veeco 22 x 6 cm射频离子源将通过一对支架安装在腔室的上后壁附近。
•支架将能够将离子源相对于目标法线的入射角（AoI）以标称角度45°为中心调整±2°。
•目标倾斜角分辨率为1°。
•该离子源将配备一组三个会聚的Mo栅格，用于向目标提供更高的束流。
•离子源栅格的焦距为18厘米。
•不提供用于将光束移动得更靠近目标或更远离目标的调整。
•离子源包括一个单独的法兰安装的射频中和器。
•将提供针对20 SCCM Ar校准的MKS 1179 MFC，以根据需要运行离子源。
•将提供一个针对20 SCCM Ar校准的MKS 1179 MFC，以运行RF中和器。
•所有MFC都包括气动截止阀。
•Veeco NOVUS电源将配备所有必要的电缆。NOVUS将操作射频离子源和射频中和器。包括一个射频电源、匹配网络和控制器。
•电源提供50至1500eV的束电压，束电流高达350mA。
•包括气体注入、射频激励和水冷却所需的所有馈通。
•离子源内部设施可从腔室后壁上的可拆卸面板进入。
•离子源将向下引导到Mg靶的中心，结合到Cu水冷板（由客户提供的靶）上。
本系统主要应用于高温超导（HTS）带材的研发与中试生产，特别是用于在柔性金属基带上沉积具备双轴织构的缓冲层（如MgO、LMO），为后续YBCO超导层的沉积提供模板。这项技术是制造第二代高温超导带材
（涂层导体）的重要环节。
高温超导带材离子束辅助沉积系统（IBAD）
PVD Products 公司提供卷对卷涂层导体 IBAD 沉积系统，用于金属带上生长 MgO 或其他类型的缓冲层。利用我们现有的内部技术，我们可以提供以下两种类型的IBAD系统用于MgO的沉积。 PVD
Products公司已部署多套卷对卷离子束辅助沉积系统。这些系统已被用于在宽度为4至12毫米的哈斯特洛伊合金或不锈钢带上沉积高度取向的氧化镁（MgO）薄膜。利用配备6 x 22厘米栅格的Veeco
线性离子源，可以以100米/小时的速度沉积高质量材料。若使用6 x 66厘米栅格，则速度可提高3倍。为实现高吞吐量，采用了多通道卷筒处理技术，同时控制带速和张力。
经过现场验证的溅射离子束辅助沉积（IBAD）工具，用于制备具有特定纹理的氧化镁（MgO），以便后续沉积稀土锰氧化物（LMO）和钇钡铜氧（YBCO）。该工具采用稳健的射频溅射技术，并配备
在线沉积后反射高能电子衍射（RHEED）分析工具。
离子束辅助沉积（IBAD）对于高温超导（HTS）材料和缓冲层的沉积至关重要。PVDleyu·乐鱼(中国)体育官方网站提供完整的IBAD解决方案，结合蒸发或溅射源与低能离子束轰击，实现双轴纹理的显现。
我们的IBAD-MgO技术比3° FWHM更优，具备可调谐离子束能量（100-1500 eV）和入射角（40-55°）以实现优异的纹理演化。
该工艺使得HTS沉积在低成本的柔性金属基板上，消除了昂贵的单晶或RABiTS基板，同时保持了高性能。
技术优势：
异的织构控制：IBAD-MgO技术可实现优于3° FWHM的薄膜取向度。系统配备可调谐离子源（能量100-1500 eV，入射角40-55°），可精确优化工艺参数以获得优异的双轴织构演化。
稳健的溅射技术：采用经过验证的射频（RF）溅射技术沉积MgO薄膜，工艺稳定可靠。
在线质量监控：系统集成了在线沉积后反射高能电子衍射（RHEED）分析工具，可在沉积过程中实时监测MgO薄膜的表面结构和织构形成，为工艺控制和重复性提供保障。
低成本金属基带：专为在柔性哈氏合金等金属基带上连续沉积设计，无需使用昂贵的单晶基板，明显降低超导带材的制造成本。
| 参数 | 规格 |
|---|---|
| 仪器种类 | 磁控溅射镀膜机（IBAD） |
| 基片尺寸 | 12 mm 宽，可长达 1000 米 |
| 靶材 | 氧化镁（MgO）靶材，尺寸：850 mm（长）x 300 mm（宽）x 6.3 mm（厚） |
| 离子源 | Veeco 22 x 6 cm 线性RF离子源（2台），束电压50-1500 eV，束电流350 mA |
| 在线分析 | 在线沉积后反射高能电子衍射（RHEED） |
| 极限真空 | 5 x 10⁻⁷ Torr |
| 成膜均匀性 | ≤ 5% |
| 基片温度 | 水冷（常温） |
| 系统组成 | 多腔室卷对卷系统（放线/沉积/RHEED/收线室）、支撑架、集成电子机柜 |
系统布局
•支撑架上有多个真空室。包括放线室、沉积室、RHEED室和收线室
•腔室组件将安装在带有脚轮和调平垫的大型支撑架上
•电子机架将内置在机架中
•两个卷轴室
•沉积室
•RHEED分析室将放置在沉积室之后和卷取卷轴之前
卷筒提升机构：
•四套卷轴可容纳12毫米宽的胶带，该系统可容纳客户提供的哈氏合金胶带
•这些卷筒的内径为90毫米，外径为432毫米。
•该系统将包括一个机械升降机，该升降机由一个改良的手动绞车起重车组成。
•其设计用于固定给定直径的胶带卷轴，并允许用户将整卷胶带插入放线卷轴室的主轴上。
•它还被设计用于从卷取室中移除卷轴。
•这使得卷轴从工作台转移到系统变得很容易，因为不需要重型头顶提升。
主沉积室和框架组件：
•IBAD沉积室将通过10“CF法兰直接与放线室相匹配。
•两个腔室之间没有隔离阀。
•该室将由304 SS制成，包括一个带氟橡胶O形密封圈的大型铰链门。
•该室宽约1.39 m，深约1.1 m，高约0.857 mm。
•该室将包括多个端口，以支持两个22 x 6 cm的线性RF离子源、一个水冷靶台和一个水冷衬底台。
•提供了各种CF法兰端口，用于查看、真空泵送、真空计等。
•将提供几个备用端口。
•所有CF法兰式端口均配有公制镀银螺纹螺栓。
•可拆卸的铝制检修板安装在腔室的后壁上，以便在需要时为离子源提供方便的服务。该板通过一个氟橡胶O形圈和几个螺栓进行密封。
•腔室将通过粉末涂层CRS支撑框架进行支撑，该框架配有脚轮和调平垫。
•框架将包括电子支架，用于支撑包括配电箱在内的所有系统电子设备。
Veeco 22 x 6 cm RF离子源，用于离子束溅射：
•Veeco 22 x 6 cm射频离子源将通过一对支架安装在腔室的上后壁附近。
•支架将能够将离子源相对于目标法线的入射角（AoI）以标称角度45°为中心调整±2°。
•目标倾斜角分辨率为1°。
•该离子源将配备一组三个会聚的Mo栅格，用于向目标提供更高的束流。
•离子源栅格的焦距为18厘米。
•不提供用于将光束移动得更靠近目标或更远离目标的调整。
•离子源包括一个单独的法兰安装的射频中和器。
•将提供针对20 SCCM Ar校准的MKS 1179 MFC，以根据需要运行离子源。
•将提供一个针对20 SCCM Ar校准的MKS 1179 MFC，以运行RF中和器。
•所有MFC都包括气动截止阀。
•Veeco NOVUS电源将配备所有必要的电缆。NOVUS将操作射频离子源和射频中和器。包括一个射频电源、匹配网络和控制器。
•电源提供50至1500eV的束电压，束电流高达350mA。
•包括气体注入、射频激励和水冷却所需的所有馈通。
•离子源内部设施可从腔室后壁上的可拆卸面板进入。
•离子源将向下引导到Mg靶的中心，结合到Cu水冷板（由客户提供的靶）上。
本系统主要应用于高温超导（HTS）带材的研发与中试生产，特别是用于在柔性金属基带上沉积具备双轴织构的缓冲层（如MgO、LMO），为后续YBCO超导层的沉积提供模板。这项技术是制造第二代高温超导带材
（涂层导体）的重要环节。
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