e-flux Mini e-Beam蒸发器是一款适用于中小型材料的超高压蒸发器，可在400K至3100K温度范围内工作，集成通量监测器以实现沉积控制。该设备紧凑且易于安装在现有的UHV或MBE系统上，主要应用于表面科学、薄膜

沉积和薄膜掺杂等领域。其主要特点包括发射电流稳定器、LED提示棒材位置、可直接设置发射电流以及离子阱选项等。主要蒸发材料包括钼、钽、钨、金、银等。

仪器简介：

电子束蒸发器是一种超高压蒸发器，适用于温度范围为400K至3100K的中小型材料。可以直接从棒状（26mm）的蒸发器中蒸发，也可以从坩埚中蒸发。集成通量监测器可实现沉积控制。

高效的水冷却确保了操作过程中可忽略不计的放气。

• 电子束电子束蒸发器非常紧凑，安装在CF-40法兰（2.75“OD）上。

很容易安装在已经有的 UHV 或 MBE系统上。 

主要应用是：表面科学，薄膜沉积，薄膜掺杂 

主要蒸发材料： Mo, Ta, W, Au, Ag, Pt, Al, Cu, Ni, Ti, C, Si, Cr

技术参数：

真空腔体内长度: 190mm (without options). Special length possible on request.

真空端直径: 34mm

安装法兰口径: NW40CF (2.75"OD)

烘烤温度: max. 200°C

rod feed棒材: 25mm, optionally 50mm

坩埚体积: 0,3ccm

坩埚材料: Mo, Ta, W, pyrol. Graphite, BN liner, Al2O3, Quartz

沉积速率: from <0,01A/s to >2nm/s

束流发散角: ±15° (±12° with flux monitor)

电子束功率: max. 600W

控制器: 19" rack mount, 3U high,

230VAC/50Hz

配置选项:

挡板 (manual and motorised)

flux monitor/flux controller, Deposition Controller*

热电偶

离子阱

各种坩埚 (see above) with end caps for horizontal mount

motorised rod feed

control options (schematic)

独有特点:

1,发射电流稳定性:

The emission current stabilizer is a closed loop control to keep the emission

current constant automatically with rod melting down or decrease of crucible content

2,LED提示棒材位置

An LED alerts when the evaporation rod has to be fed. Threshold can be customer set.

3,可输入需要的发射电流

The emission current can now be set directly on a linear scale for easy reproduction.

4,离子阱选项

The ion trap option allows to deflect all charged particles out of the beam.

应用领域：

• 表面科学：清洁表面制备、吸附研究、薄膜生长

• 薄膜沉积：金属、半导体、碳、硅等薄膜的高纯度蒸发沉积

• 薄膜掺杂：可控掺杂源的精确蒸发

• 分子束外延（MBE）：作为补充蒸发源使用

• 超高真空（UHV）环境：兼容各种UHV系统

e-flux Mini e-Beam 蒸发器是一款专为UHV环境设计的高性能、紧凑型电子束蒸发源。其宽温度范围、集成通量监测、发射电流自动稳定、LED进给提示等独特功能，为用户提供了精确、稳定、易用的材料蒸发解决

方案。无论是表面科学研究，还是高质量薄膜制备，e-flux Mini 都能满足您的严苛要求。如需进一步了解技术参数、定制配置或报价，欢迎联系我们。