该leyu·乐鱼(中国)体育官方网站是一款高性能的溅射离子源，适用于多种表面处理和薄膜沉积工艺。其主要特点包括无灯丝设计、微波放电等离子体激发模式以及可烘烤特性。离子溅射源能提供不同类型的离子源和原子源，支持离子束辅助沉积、

溅射沉积及表面清洗等应用，广泛应用于超高真空（UHV）和高真空（HV）环境中。技术参数显示其具备宽范围的离子能量调节能力及高电流输出，并且可通过更换孔径来优化光束直径和气体负载。整体设备设计便于维

护与定制，满足各种科研和工业需求。

溅射离子源（离子溅射源）主要用途:

溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程

离子辅助沉积

离子束溅射镀膜

反应离子刻蚀

技术指标:

离子能量：25eV - 5keV

总的离子束电流 ：1mA (at 5kV with Argon) High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)

电流密度：120μA/cm2 at 100mm working distance

离子束发散角：Ion energy dependant (typically 15°)

工作距离：100 mm (typically)

等离子体杯：Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)

气体进气口径： CF-16 (1.33“OD)

气体流速：1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)

工作真空度：10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.

激发模式： 微波放电等离子体 (无灯丝)

安装口径： CF-35 (2.75“OD)

溅射源直径：34mm (真空端)

泄露阀：需要气体质量流量计

第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源

原子源主要用途：

制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.

氢原子清洗，氢原子辅助MBE.

制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics. 

掺杂， e.g. ZnSe

离子源主要用途:

离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes

溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering

溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.

原位刻蚀， e.g. Chlorine 

技术参数：

真空兼容性：完全UHV兼容

可烘烤：>200°C

微波功率：250W，2.45GHz

磁铁类型：稀土永磁材料。可在不破坏真空的情况下进行烘烤

安装：NW63CF（4.5“OD）

真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径=57mm

光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）

等离子杯：氧化铝

孔径：氧化铝或氮化硼

气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径

工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项

工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）

冷却：全水冷（包括磁控管）

电源：

电网供电*

*离子源和混合源

19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz

19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz

主要特点：

无灯丝

适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。

无微波调谐

出厂设置，只需打开和关闭等离子。

用户可配置

提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。

简单烘烤制备

新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。

Al2O3等离子区

氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力

从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值为258mm

本高性能溅射离子源以其无灯丝微波等离子体设计、宽能量/电流范围、用户可配置光学系统及完全UHV兼容性，为表面科学、薄膜沉积和材料处理提供了强大而灵活的解决方案。无论是离子束辅助沉积、溅射清洗，

还是原子源辅助的化合物薄膜制备，该设备都能以优异的稳定性和易用性满足您的严苛需求。如需进一步了解技术参数、定制配置或报价，欢迎联系我们。