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真空等离子体刻蚀系统
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本真空等离子体刻蚀系统采用台式紧凑设计,支持PE(等离子体刻蚀)与RIE(反应离子刻蚀)双模式,通过利用等离子体的化学与物理性质,实现对材料表面的精确刻蚀与改性。它是面向未来的先进技术平台,特别适合实验室、研发中心及小批量生产环境。
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等离子体是指“电离气体”。当高能量施加到气体原子或分子上时,电子会从粒子上敲落,从而使气体电离。结果,粒子被分为正负离子、自由基和光子——形成等离子体。 由于带正电和带负电的粒子数量相同(准中性),

等离子体显示出明显的中性。由于等离子体具有自由运动的电子和带电粒子,因此它对电场和磁场具有高度响应性(集体行为)。 如今,等离子体在许多工业领域发挥着至关重要的作用。在半导体制造中,超过 70% 的工

艺使用等离子体。通过利用等离子体的化学和物理性质,我们可以改变材料的表面性质。它是一项面向未来的技术,不断开发新的应用。

本真空等离子体刻蚀系统 采用台式紧凑设计,支持PE(等离子体刻蚀)与RIE(反应离子刻蚀)双模式,通过利用等离子体的化学与物理性质,实现对材料表面的精确刻蚀与改性。

工艺模式 双模式:PE(等离子体蚀刻)和RIE(反应离子蚀刻)模式,带双电极

腔室 宽 200 x 深 220 x 高 160 (毫米)

射频发生器 (射频)13.56MHz  300W

MFC  200 sccm

表压 大气压 ~ 5 x 10-4 托

操作 手动和自动

尺寸 宽 600 x 深 730 x 高 750 (毫米)

工艺室

双模式:PE(等离子体蚀刻)和RIE(反应离子蚀刻)模式,带双电极

尺寸 : 200×220×160 (W×D×H, mm)

单块铝挖空(非焊接,减少气体泄漏)

均匀气流设计

射频发生器

频率 : 射频 (13.56MHz)

功率 :  300W(选配 600W)

自动阻抗匹配

过程监测和控制

气流模块

气体通道数:× 4 条线

气体流量控制:高重复性MFC

吹扫线:× 1 片

排气管:× 1 个

MFC流量:200 sccm(1 sccm增量)

真空

规格:皮拉尼 (5×10-5 Torr)

泵 : 油旋转泵

泵排量:290L/min @ 60Hz

极限压力 : 5×10-3 Torr

控制器

DSP 板载信号控制器

自动/手动作

交互式集成软件

7 英寸触摸屏 PC 和 USB 数据传输

保存和加载工艺配方

流程图和告警日志加载

PE模式 vs. RIE模式

特性PE模式(等离子体刻蚀)RIE模式(反应离子刻蚀)
刻蚀机制以自由基化学刻蚀为主化学刻蚀 + 离子物理轰击
刻蚀方向性各向同性各向异性
侧壁轮廓圆形/坡面陡直
选择性较高可调
典型应用去胶、表面清洗、均质刻蚀精细图形转移、深槽刻蚀

本台式真空等离子体刻蚀系统以PE/RIE双模式紧凑台式设计单块铝腔体精确气流与真空控制智能化软件平台为主要优势,为实验室、研发中心及小批量生产提供了一套高性能、高性价比的等离子体刻蚀解

决方案。无论您需要各向同性的PE刻蚀,还是各向异性的RIE刻蚀,本系统都能灵活满足您的工艺需求。如需进一步了解技术参数、定制配置或报价,欢迎联系我们


                                                                                                                                                      双电极腔室结构










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等离子体是指“电离气体”。当高能量施加到气体原子或分子上时,电子会从粒子上敲落,从而使气体电离。结果,粒子被分为正负离子、自由基和光子——形成等离子体。 由于带正电和带负电的粒子数量相同(准中性),

等离子体显示出明显的中性。由于等离子体具有自由运动的电子和带电粒子,因此它对电场和磁场具有高度响应性(集体行为)。 如今,等离子体在许多工业领域发挥着至关重要的作用。在半导体制造中,超过 70% 的工

艺使用等离子体。通过利用等离子体的化学和物理性质,我们可以改变材料的表面性质。它是一项面向未来的技术,不断开发新的应用。

本真空等离子体刻蚀系统 采用台式紧凑设计,支持PE(等离子体刻蚀)与RIE(反应离子刻蚀)双模式,通过利用等离子体的化学与物理性质,实现对材料表面的精确刻蚀与改性。

工艺模式 双模式:PE(等离子体蚀刻)和RIE(反应离子蚀刻)模式,带双电极

腔室 宽 200 x 深 220 x 高 160 (毫米)

射频发生器 (射频)13.56MHz  300W

MFC  200 sccm

表压 大气压 ~ 5 x 10-4 托

操作 手动和自动

尺寸 宽 600 x 深 730 x 高 750 (毫米)

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双模式:PE(等离子体蚀刻)和RIE(反应离子蚀刻)模式,带双电极

尺寸 : 200×220×160 (W×D×H, mm)

单块铝挖空(非焊接,减少气体泄漏)

均匀气流设计

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频率 : 射频 (13.56MHz)

功率 :  300W(选配 600W)

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气流模块

气体通道数:× 4 条线

气体流量控制:高重复性MFC

吹扫线:× 1 片

排气管:× 1 个

MFC流量:200 sccm(1 sccm增量)

真空

规格:皮拉尼 (5×10-5 Torr)

泵 : 油旋转泵

泵排量:290L/min @ 60Hz

极限压力 : 5×10-3 Torr

控制器

DSP 板载信号控制器

自动/手动作

交互式集成软件

7 英寸触摸屏 PC 和 USB 数据传输

保存和加载工艺配方

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PE模式 vs. RIE模式

特性PE模式(等离子体刻蚀)RIE模式(反应离子刻蚀)
刻蚀机制以自由基化学刻蚀为主化学刻蚀 + 离子物理轰击
刻蚀方向性各向同性各向异性
侧壁轮廓圆形/坡面陡直
选择性较高可调
典型应用去胶、表面清洗、均质刻蚀精细图形转移、深槽刻蚀

本台式真空等离子体刻蚀系统以PE/RIE双模式紧凑台式设计单块铝腔体精确气流与真空控制智能化软件平台为主要优势,为实验室、研发中心及小批量生产提供了一套高性能、高性价比的等离子体刻蚀解

决方案。无论您需要各向同性的PE刻蚀,还是各向异性的RIE刻蚀,本系统都能灵活满足您的工艺需求。如需进一步了解技术参数、定制配置或报价,欢迎联系我们


                                                                                                                                                      双电极腔室结构










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