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等离子体是指“电离气体”。当高能量施加到气体原子或分子上时,电子会从粒子上敲落,从而使气体电离。结果,粒子被分为正负离子、自由基和光子——形成等离子体。 由于带正电和带负电的粒子数量相同(准中性),
等离子体显示出明显的中性。由于等离子体具有自由运动的电子和带电粒子,因此它对电场和磁场具有高度响应性(集体行为)。 如今,等离子体在许多工业领域发挥着至关重要的作用。在半导体制造中,超过 70% 的工
艺依赖等离子体技术,使用等离子体。通过利用等离子体的化学和物理性质,我们可以改变材料的表面性质。它是一项面向未来的技术,不断开发新的应用。
本反应离子刻蚀(RIE)系统采用立式腔室设计,通过利用等离子体的化学与物理性质,实现对材料表面的精确刻蚀与改性。
反应离子蚀刻系统 – 立式腔室
工艺模式 RIE
电极尺寸 14.4英寸
射频发生器 13.56MHz / 300W
MFC 200 sccm
表压 大气压 ~ 5 x 10-4 托
操作 手动和自动
尺寸 宽 748 x 深 1,139 x 高 1,220 (毫米)
工艺室
RIE(反应性离子蚀刻)模式
带 3 级淋浴喷头的立式腔室
直径 : 14.4 英寸(用于 12 英寸晶圆)
单块铝挖空结构(非焊接,减少气体泄漏)
均匀气流设计
射频发生器
频率 : (RF) 13.56MHz
功率:600W(选配 1,000W)
自动阻抗匹配
过程监测和控制
气流模块
气体通道数:× 4 条线
气体流量控制:高重复性MFC
吹扫线:× 1 片
排气管:× 1 个
MFC流量:200 sccm
真空
DN40 气动软启动泵阀
APC 模块:蝶式节流阀与 10 Torr 电容压力计相结合
泵 : 油旋转泵
泵排量 : 1,000 L/min @ 60Hz
极限压力:5×10-3 Torr
控制器
DSP 板载信号控制器
自动/手动作
交互式集成软件
10.2 英寸触摸屏 PC 和 USB 数据传输
保存和加载工艺配方
实时流程图和错误监控
本反应离子刻蚀系统以立式腔室设计、14.4英寸大电极、单块铝腔体、精确的气流与真空控制以及智能化的软件平台主要优势,为半导体、MEMS、LED及纳米技术领域提供了一套高性能、高可靠性的刻蚀解决方案。
其RIE模式结合化学与物理刻蚀机制,能够实现高各向异性、高选择比、高均匀性的精细图形转移。如需进一步了解技术参数、定制配置或报价,欢迎联系我们。

等离子体是指“电离气体”。当高能量施加到气体原子或分子上时,电子会从粒子上敲落,从而使气体电离。结果,粒子被分为正负离子、自由基和光子——形成等离子体。 由于带正电和带负电的粒子数量相同(准中性),
等离子体显示出明显的中性。由于等离子体具有自由运动的电子和带电粒子,因此它对电场和磁场具有高度响应性(集体行为)。 如今,等离子体在许多工业领域发挥着至关重要的作用。在半导体制造中,超过 70% 的工
艺依赖等离子体技术,使用等离子体。通过利用等离子体的化学和物理性质,我们可以改变材料的表面性质。它是一项面向未来的技术,不断开发新的应用。
本反应离子刻蚀(RIE)系统采用立式腔室设计,通过利用等离子体的化学与物理性质,实现对材料表面的精确刻蚀与改性。
反应离子蚀刻系统 – 立式腔室
工艺模式 RIE
电极尺寸 14.4英寸
射频发生器 13.56MHz / 300W
MFC 200 sccm
表压 大气压 ~ 5 x 10-4 托
操作 手动和自动
尺寸 宽 748 x 深 1,139 x 高 1,220 (毫米)
工艺室
RIE(反应性离子蚀刻)模式
带 3 级淋浴喷头的立式腔室
直径 : 14.4 英寸(用于 12 英寸晶圆)
单块铝挖空结构(非焊接,减少气体泄漏)
均匀气流设计
射频发生器
频率 : (RF) 13.56MHz
功率:600W(选配 1,000W)
自动阻抗匹配
过程监测和控制
气流模块
气体通道数:× 4 条线
气体流量控制:高重复性MFC
吹扫线:× 1 片
排气管:× 1 个
MFC流量:200 sccm
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DN40 气动软启动泵阀
APC 模块:蝶式节流阀与 10 Torr 电容压力计相结合
泵 : 油旋转泵
泵排量 : 1,000 L/min @ 60Hz
极限压力:5×10-3 Torr
控制器
DSP 板载信号控制器
自动/手动作
交互式集成软件
10.2 英寸触摸屏 PC 和 USB 数据传输
保存和加载工艺配方
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本反应离子刻蚀系统以立式腔室设计、14.4英寸大电极、单块铝腔体、精确的气流与真空控制以及智能化的软件平台主要优势,为半导体、MEMS、LED及纳米技术领域提供了一套高性能、高可靠性的刻蚀解决方案。
其RIE模式结合化学与物理刻蚀机制,能够实现高各向异性、高选择比、高均匀性的精细图形转移。如需进一步了解技术参数、定制配置或报价,欢迎联系我们。

