红外光晶片检测显微镜 硅对红外光是透明的。我们的红外光晶片检测显微镜从背面照亮硅基板，并捕获渗透到基板中的光。因此，可以检查硅基板内部的现象，这些现象在传统显微镜下是不可见的。 显微镜配备了一个

长工作距离物镜。三步变焦允许用户选择正确的视野和放大倍数。红外感应摄像头通过USB在您的计算机上显示被检查设备的图像。5倍物镜的分辨率优于3µm。 此外，还提供顶部照明。这允许在传统模式下使用显微镜

并检查晶片的顶面。 红外显微镜配备了一个xy工作台，可容纳8英寸或更小的晶片。该工作台由电机驱动，可以用操纵杆控制。对于实验室环境，红外显微镜可以配备一个经济高效的手动XY平移台，而不是全自动设备。

硅片是集成电路（IC）和微机电系统（MEMS）制造中使用的重要部件。在红外（IR）范围内看穿这种半导体材料的能力有利于制造过程的质量控制。

我们的红外晶圆检测显微镜（IR-M）配备了长工作距离物镜。3步变焦允许用户选择合适的视场和放大倍数。红外敏感相机在计算机上显示被检样品的图像（通过USB 3.0通信）。使用5倍物镜，分辨率优于3μm。此外，还提供顶部照明。这使得显微镜可以在传统式下使用，并检查晶片的顶面。红外显微镜配备了一个xy工作台，可容纳Ø200mm（8英寸）或更小的晶片。可选地，xy工作台可以由电机驱动，

以便通过图形用户界面（GUI）和/或操纵杆进行方便的控制。

IR-M可用于半导体和MEMS器件检测：

通过透射成像观察硅片（即微结构晶片）

太阳能电池的功率效率检查

以下图像是用IR-M成像显微镜拍摄的。他们展示了一种微结构绝缘体上硅（SOI）晶片。图像显示了具有顶侧照明（可见光谱）
的经典显微镜图像。第二张图像是用红外照明（IR透射模式）拍摄的，显示了基底层和器件层之间的埋入氧化硅（SiO2）。

在IR-M红外显微镜下观察到的硅MEMS器件——此图显示了红外显微照片（透射模式）和在不可见光下观察的叠加图片（反射模式）。

典型应用领域

IR-M显微镜是半导体产业链中从研发到质控的关键工具，主要应用于：

• 集成电路（IC）与MEMS制造：

• 硅片内部缺陷检测：观测晶体缺陷、微裂纹、应力分布。

• SOI（绝缘体上硅）晶片分析：清晰呈现埋入的氧化硅层（BOX） 的均匀性、完整性及其与上下硅层的界面情况。

• 工艺监控：检查深刻蚀、硅通孔（TSV）、键合等工艺的内部质量。

• 太阳能光伏行业：

• 太阳能电池效率检查：观测硅片内部的杂质、晶界、位错等影响光电转换效率的缺陷。

• 研发与失效分析：

• 器件结构验证：无损观察封装内部或芯片的叠层结构。

• 故障定位：辅助定位因内部短路、断路或异物导致的器件失效。

IR-M红外光晶片检测显微镜通过其独有的检测内部的能力，将检测维度从表面延伸至材料内部，解决了半导体及MEMS行业对内部质量无损检测的迫切需求。其双模式成像、高分辨率、灵活的操作配置等特点，使其成为提升leyu·乐鱼(中国)体育官方网站良率、加速工艺开发、进行深度失效分析的强大且可靠的理想工具。