Q-One型， 先进的纳米级离子注入平台，具有纳米级精度的确定性单离子注入的新工具。这是一种全新的设计，功能强大的FIB，能够以惊人的精度和前所未有的速度定位单个离子。与依赖扫描探针显微镜（SPM）的原

子操纵技术相比，Q-One的植入速度快数个数量级，可以在几秒钟内完成包含数百万个精确定位离子的阵列制造，实现了从实验室演示到实用化器件制造的关键跨越。可应用于单离子注入，量子器件制造与研究，纳米材料

工程，光子系统，存储设备等领域。

Q-One具有许多强大的功能，是制造量子器件和先进材料工程的先进系统。快速、可扩展的设备制造Q-One比SPM（扫描探针显微镜）技术快许多数量级，它可以在短短几秒钟内产生数百万个精确定位的原子阵列。 

纳米精度，Q-One具有20纳米聚焦离子束和1纳米光学编码器的压电驱动级，提供了精确离子放置。

植入多种元素，液态金属离子源和质量过滤柱可选择和植入40多种不同元素。双等离子体源也可用于氧和氮掺杂。

双离子束，高分辨率电子柱可提供高达4nm的详细成像，用于现场验证和过程控制。

应用领域：

• 量子信息技术：量子计算：精确制造基于掺杂原子的固态量子比特阵列（如硅基磷原子量子比特）；量子通信：制造确定性单光子源（如基于金刚石氮-空位色心）。

• 先进材料科学：纳米材料工程：以原子精度设计新型二维材料、拓扑材料的电子与光学特性；缺陷工程：在半导体中精确引入特定缺陷，以调控其光电、磁学性质。

• 新一代光电子与存储器件：集成光子系统：在光子芯片中精确掺杂，制造波导、调制器或单光子探测器；超高密度存储：探索基于单个原子或缺陷状态的存储概念，向原子级存储迈进。

成功案例：

单离子多物种低能定位项目，作为单离子多物种低能定位项目的一部分， 2018年在英国 Surrey Ion Beam Centre安装了两台同类仪器。Q-One系统成为英国Henry Royce研究所，纳米先进材料工程新平台的主要设备。

Q-One不只是一台离子注入机，它是一个原子级的“物质3D打印机”和量子器件的构建平台。它将离子注入技术从传统的、统计性的材料改性层面，提升到了确定性、位点可控的原子级制造层面。对于致力于在量子科技、

纳米科学和下一代半导体领域取得突破的研究机构与前沿企业而言，Q-One提供了将前沿理论构想转化为实际功能器件的制造能力，是占领未来技术制高点的战略性装备。