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公司背景介绍:
MIDAS SYSTEM公司开发并生产用于半导体、MEMS、LED及纳米技术相关的实验室和工业领域的光罩对准曝光机和甩胶机,是韩国少数研发并商业化光罩对准曝光机的企业,始终致力于不断完善、增强技术型企业的核
心竞争力。MIDAS SYSTEM公司具有专业化的设计团队,以客户需要为己任,生产、供应满足国内外企业、科研院所不断增长的应用需求,并且提供半导体工艺相关的设备需要。
leyu·乐鱼(中国)体育官方网站简介:
MDA-12SA型曝光机是一款MIDAS公司新开发的leyu·乐鱼(中国)体育官方网站,是下一代全区域光刻系统,具备更高的重复光刻精度和可靠性。该设备拥有紫外曝光光源,光强可控,并配备有电动显微镜和样品台,支持多种接触模式,对准精度
高达1μm,能够满足半导体及纳米技术领域的需求。这一新型半自动化对准曝光平台具有更高的重复光刻精度以及更可靠的操作,非常适合陶瓷及其他探针卡应用,同时MDA-12SA型半动化光罩对准曝光机具有更高的生
产能力和容易操控。支持多种接触模式,对准精度高达1μm,能够满足半导体及纳米技术领域的需求,适用于陶瓷及其他探针卡应用。
技术参数:
光源能量:紫外曝光光源光强2000~5000W,输出能量可控
光束范围:14.25″× 14.25″
均匀光束范围: 13.25″× 13.25″
光束均匀性:<3%~5%
365nm输出光束强度:5KW 25~60mW/cm2,2 KW 15~30mW/cm2
400nm输出光束强度:5KW 50~100mW/cm2,2 KW30~50mW/cm2
可调节曝光时间:0.1~999.9s
范围观察:显微镜/CCD相机安装(480~1000倍可变放大,1600倍可选)
电动观察范围移动:显微镜x、y、z电动操作(手柄控制)
电动样品台:样品台x、y、z、Theta电动操作
卡盘移动:大范围。静态对准工具模块进行x、y、z、Theta移动
卡盘水平:楔形误差补偿(楔形位置自动感应,压力传感器,警报)
基片尺寸:直至14″× 14″
掩模板规格:可替换的直至15″× 15″
真空卡盘移动: x、y:10mm;Theta:4×
Z向移动距离:10mm
接触模式:接近式、软接触式、硬接触式、真空接触式(真空接触力可调节)
接近调节:1μm步进可调节程序化控制系统
对准精度: 1μm
显示器:17″触屏
气动控制:基片、掩膜、接触、接触调节、卡盘锁、N2、N2调节
分辨率:1μm(真空接触下近紫外)
摆放:防震桌
选件:CCD BSA、DUV、紫外强度计
MDA-12SA 光罩对准曝光机集高精度(1 μm)、高均匀性(<3%~5%)、多种接触模式及智能化操作于一体,是 MIDAS SYSTEM 在光刻领域技术实力的集中体现。无论是半导体探针卡、陶瓷基板,还是 MEMS 与
LED 器件,MDA-12SA 都能以优异的重复光刻精度和可靠性,满足您的研发与生产需求。如需进一步了解技术细节、定制配置或报价,欢迎联系我们。
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光束范围:14.25″× 14.25″
均匀光束范围: 13.25″× 13.25″
光束均匀性:<3%~5%
365nm输出光束强度:5KW 25~60mW/cm2,2 KW 15~30mW/cm2
400nm输出光束强度:5KW 50~100mW/cm2,2 KW30~50mW/cm2
可调节曝光时间:0.1~999.9s
范围观察:显微镜/CCD相机安装(480~1000倍可变放大,1600倍可选)
电动观察范围移动:显微镜x、y、z电动操作(手柄控制)
电动样品台:样品台x、y、z、Theta电动操作
卡盘移动:大范围。静态对准工具模块进行x、y、z、Theta移动
卡盘水平:楔形误差补偿(楔形位置自动感应,压力传感器,警报)
基片尺寸:直至14″× 14″
掩模板规格:可替换的直至15″× 15″
真空卡盘移动: x、y:10mm;Theta:4×
Z向移动距离:10mm
接触模式:接近式、软接触式、硬接触式、真空接触式(真空接触力可调节)
接近调节:1μm步进可调节程序化控制系统
对准精度: 1μm
显示器:17″触屏
气动控制:基片、掩膜、接触、接触调节、卡盘锁、N2、N2调节
分辨率:1μm(真空接触下近紫外)
摆放:防震桌
选件:CCD BSA、DUV、紫外强度计
MDA-12SA 光罩对准曝光机集高精度(1 μm)、高均匀性(<3%~5%)、多种接触模式及智能化操作于一体,是 MIDAS SYSTEM 在光刻领域技术实力的集中体现。无论是半导体探针卡、陶瓷基板,还是 MEMS 与
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