深能级瞬态谱（Deep Level Transient Spectroscopy）是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能

级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有极高检测灵敏度(检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂济浓度的万分之一)的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样

品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。Semetrol DLTS集成多种自动的测量模式及完整的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的

分布，也可用于光伏太阳能电池领域中，分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位，确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。该仪器测量界面态速度快，精度高，是生产和科研中

可广为应用的测试技术。

主要特点 :

• 自动连线检测，

• 自动电容补偿功能，

• 探测灵敏度高，

• 瞬态电流测量，

• 深能级瞬态谱分析，

应用领域 :

•检测Si、ZnO、GaN等半导体材料中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。

Semetrol DLTS系统配置:

- 脉冲发生器

电压范围： ±10 V (±102 V opt.)，

脉冲宽度：1 µs - 1000 s，

- 电容测量

高频信号:    50KHz，

电容范围 ：1pF-100nF，

灵敏度：1 fF，

-电压测量：

范围 ±10 V，

灵敏度 < 1 µV，

温度范围：30K~700K，

电阻范围：0.1 mOhm - 10 GOhm，

多种测量模式可选：

C-DLTS（电容模式），

O-DLTS （光激发模式），

I-DLTS （电流模式），

DD-DLTS （双关联模式），

Zerbst-DLTS （Zerbst模式），

FET-Analysis （FET分析），

MOS-Analysis （MOS分析），

ITS (等温瞬态谱)，

Trap profiling，

CCSM（俘获截面测量），

I/V,I/V(T) （查理森Plot分析），

C/V, C/V(T)，

TSC/TSCAP，

PITS (光子诱导瞬态谱)，

DLOS (特殊系统）。

Semetrol DLTS系统的主要优势在于它将实验室级别的超高灵敏度缺陷分析能力与工业化应用的自动化、可靠性要求完美结合,主要体现在：飞法级电容分辨率、万分之一浓度灵敏度，满足前沿半导体物理研究需求，全

自动操作、多种分析模式，适合工艺开发和leyu·乐鱼(中国)体育官方网站故障分析，单一平台即可完成从基础缺陷表征到复杂器件分析的全套测量，从传统硅基半导体到第三代宽禁带半导体全覆盖。可运用于：快速评估新材料中的本征缺陷

与杂质行为，优化半导体制造工艺，减少缺陷引入，定位导致器件性能退化的缺陷来源，建立半导体材料的缺陷检测标准，该DLTS系统不仅是缺陷分析的“显微镜”，更是连接材料特性-工艺参数-器件性能的关键诊断工

具，特别适合半导体制造企业、研究机构和高校实验室中从事材料研发、工艺优化和可靠性研究的团队使用。